EL2004EL2004C
350 MHz 场效应晶体管 缓存区
g
5V 直流 电的 特性
V
S
e
g
5V T
最小值
k
T
一个
k
T
最大值
V
在
e
0V R
L
e
50
X
除非 否则 指定
参数 描述 测试 情况
EL2004 EL2004C
单位
最小值 典型值 最大值
测试
最小值 典型值 最大值
测试
水平的 水平的
V
OS
输出 补偿 R
S
s
100 k
X
T
J
e
25
C 10 30 I 10 30 I mV
电压
R
S
s
100 k
X
35 I 35 III mV
一个
V
电压 增益 V
在
e
g
1V R
L
e
1k
X
090 095 10 I 090 095 10 II VV
V
在
e
g
1V 080 088 095 I 080 088 095 II VV
R
在
输入 阻抗 T
J
e
25
C V
在
e
g
1V 10
8
10
11
I10
10
10
11
I
X
R
输出
输出 V
在
e
g
1V
直流
4 8 I 4 10 II
X
阻抗
D
R
L
e
50
X
至 Infinity
V
O
输出 电压 V
在
e
g
4V
g
20
g
29 I
g
20
g
29 III V
摆动
I
在
输入 电流 T
J
e
25
C (便条 2) 250 I 500 I pA
T
一个
e
25
C (便条 3) 25 IV 5 IV nA
T
J
e
T
一个
e
T
最大值
10 I 20 III nA
PSRR 电源 供应 V
S
e
g
5V 至
g
15V
60 V 60 V dB
拒绝 比率 R
L
e
1k
X
I
S
供应 电流 R
L
e
1k
X
175 20 I 175 20 II 毫安
便条 1 当 运行 在 提升 温度 这 电源 消耗 的 这 EL2004 必须 是 限制 至 这 值 显示 在 这
典型 效能 曲线 ‘‘Maximum 电源 消耗 vs Temperature’’ 接合面 至 情况 热的 阻抗 是 31
CW
当 消耗 是 展开 among 这 晶体管 在 一个 正常的 交流 稳步的-状态 condition 在 特定的 情况 在哪里 热温 是
concentrated 在 一个 输出 device 接合面 温度 应当 是 计算 使用 一个 热的 阻抗 的 70
CW
便条 2 规格 是 在 25
C 接合面 温度 预定的 至 (所需的)东西 的 高-速 自动 testing 真实的 值 在 运行
温度 将 超过 这 值 在 T
J
e
25
C 当 供应 电压 是
g
15V 非-加载 运行 接合面 温度
将 上升 40
Cto60
C 在之上 包围的 和 更多 下面 加载 conditions Accordingly V
OS
将 改变 一个 至 一些 mV 和
I
在
将 改变 significantly 在 warm-up 谈及 至 I
在
vs 温度 图表 为 预期的 values
便条 3 量过的 在 安静的 空气 七 分钟 之后 应用 的 power 看 图表 的 输入 电流 在 warm-向上 为 更远
information
便条 4 带宽 是 计算 从 这 上升 time 这 EL2004 有 一个 单独的 柱子 增益 和 阶段 回馈 向上 至 这
b
3dB
frequency
便条 5 回转 比率 是 量过的 在 V
输出
ea
25V 和
b
25V 为 这个 test
便条 6 回转 比率 是 量过的 在 V
输出
ea
1V 和
b
1V 为 这个 test 脉冲波 repetition 比率 是
k
50 MHz
g
15V 交流 电的 特性
V
S
e
g
15V R
L
e
1k
X
R
S
e
50
X
T
J
e
25
C 除非 否则 指定
参数 描述 测试 情况
EL2004 EL2004C
单位
最小值 典型值 最大值
测试
最小值 典型值 最大值
测试
水平的 水平的
BW 带宽 (便条 4) 200 350 I 200 350 I MHz
R
L
e
50
X
140 200 I 140 200 I MHz
t
s
安排好 时间 至 1%
D
V
在
e
1V t
r
e
3ns 6 V 6 V ns
C
在
输入 电容 3 V 3 V pF
3
TD 是 32inTD 是 13in