EL2002C
低 Power 180 MHz 缓存区 放大器
烧-在 电路
2002–10
Simplified 图式
2002–11
应用 信息
这 EL2002 是 一个 大而单一的 缓存区 放大器 建造
在 Elantec’s 专卖的 Complementary 双极
处理 那 生产 NPN 和 PNP 晶体管
和 essentially 完全同样的 直流 和 交流 character-
istics 这 EL2002 takes 全部 有利因素 的 这
complementary 处理 和 一个 唯一的 电路
topology
Elantec 有 应用 为 二 专利权 为基础 在 这
EL2002’s topology 这 专利权 联系 至 这 根基
驱动 和 反馈 mechanism 在 这 buffer 这个
反馈 制造 2000 V
m
s 回转 比率 和 100
X
负载 可能 和 非常 低 供应 current
电源 供应
这 EL2002 将 是 运作 和 单独的 或者 分割
供应 和 总的 电压 区别 在
10V (
g
5v) 和 36V (
g
18v) 它 是 不 需要
至 使用 equal 分割 值 supplies 为 例子
b
5V 和
一个
12V 将 是 极好的 为 信号
从
b
2V 至
一个
9V
绕过 电容 从 各自 供应 管脚 至
地面 是 高级地 推荐 至 减少 供应
ringing 和 这 干扰 它 能 cause 在 一个
minimum 1
m
F tantalum 电容 和 短的
leads 应当 是 使用 为 两个都 supplies
输入 特性
这 输入 至 这 EL2002 looks 像 一个 阻抗 在
并行的 和 关于 35 pF 在 增加 至 一个 直流
偏差 current 这 直流 偏差 电流 是 预定的 至 这
miss-相一致 在 beta 和 集电级 电流 在
这 NPN 和 PNP 晶体管 连接 至 这
输入 pin 这 偏差 电流 能 是 也 积极的
或者 negative 这 改变 在 输入 电流 和 在-
放 电压 (r
在
) 是 影响 用 这 输出 load
beta 和 这 内部的 boost R
在
能 的确 ap-
pear 负的 在 portions 的 这 输入 range
典型 输入 电流 曲线 是 显示 在 这
典型的 curves 内部的 clamp 二极管 从
这 输入 至 这 输出 是 provided 这些 di-
odes 保护 这 晶体管 根基 发射级 汇合处
和 限制 这 boost 电流 在 回转 至 避免
饱和 的 内部的 transistors 这 二极管 是-
gin 传导 在 关于
g
25V 输入 至 输出
differential 当 那 发生 这 输入 resist-
ance drops dramatically 这 二极管 是 评估 在
50 mA 当 组织 它们 有 一个 序列 re-
sistance 的 关于 20
X
那里 是 也 100
X
在 序列
和 这 输入 那 限制 输入 current 在之上
g
75V 差别的 输入 至 output 额外的 se-
ries 阻抗 应当 是 added
源 阻抗
这 EL2002 有 好的 输入 至 输出 isolation
当 这 缓存区 是 不 使用 在 一个 反馈 loop
电容的 和 resisitive 来源 向上 至 1 MHz
呈现 非 振动 problems 小心 必须 是
使用 在 板 布局 至 降低 输出 至 输入
coupling CAUTION 当 使用 高 源
阻抗 (r
S
l
100 k
X
) 重大的 增益 er-
rors 能 是 observed 预定的 至 输出 offset 加载
resistor 和 这 action 的 这 boost circuit 看
典型 效能 curves
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