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fn7003.2
8月 16, 2005
重要的 便条: 所有 参数 having 最小值/最大值 规格 是有保证的. 典型值 值 是 为 信息 目的 仅有的. unless 否则 指出, 所有 tests 是
在 这 指定 温度 和 是 搏动 tests, 因此: t
J
= t
C
= t
一个
绝对 maximum 比率
(t
一个
= 25°c)
V
在
, v
DD
, por 至 sgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 +6.5v
lx 至 pgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3v 至 (v
在
+ +0.3v)
rsi, en, v
O
, fb 至 sgnd . . . . . . . . . . . . . . .-0.3v 至 (v
在
+ +0.3v)
pgnd 至 sgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 +0.3v
顶峰 输出 电流. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .500mA
运行 包围的 温度 . . . . . . . . . . . . . . . .-40°c 至 +85°c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°c 至 +150°c
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +145°C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings”将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
电的 规格
V
DD
= v
在
= v
EN
= 3.3v, c1 = c2 = 10µf, l = 1.8µh, v
O
= 1.8v, 除非 否则 指定.
参数 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性
V
FB
反馈 输入 电压 790 800 810 mV
I
FB
反馈 输入 电流 250 nA
V
在
, v
DD
输入 电压 2.5 6 V
V
在,止
最小 电压 为 关闭 V
在
下落 2 2.2 V
V
在,在
最大 电压 为 startup V
在
rising 2.2 2.4 V
I
DD
供应 电流 pwm, v
在
= v
DD
= 5v 400 500 µA
en = 0, v
在
= v
DD
= 5v 0.1 1 µA
R
ds(在)-pmos
pmos 场效应晶体管 阻抗 V
DD
= 5v, 薄脆饼 测试 仅有的 70 100 m
Ω
R
ds(在)-nmos
nmos 场效应晶体管 阻抗 V
DD
= 5v, 薄脆饼 测试 仅有的 45 75 m
Ω
I
LMAX
电流 限制 1.5 一个
T
ot,止
在-温度 门槛 t rising 145 °C
T
ot,在
在-温度 hysteresis t 下落 130 °C
I
EN
, i
RSI
en, rsi 电流 V
EN
, v
RSI
= 0v 和 3.3v -1 1 µA
V
EN1
, v
RSI1
en, rsi rising 门槛 V
DD
= 3.3v 2.4 V
V
EN2
, v
RSI2
en, rsi 下落 门槛 V
DD
= 3.3v 0.8 V
V
POR
最小 v
FB
为 por, wrt targeted
V
FB
值
V
FB
rising 95 %
V
FB
下落 86 %
V
OLPOR
por 电压 漏出 I
下沉
= 5ma 35 70 mV
交流 特性
F
PWM
pwm 切换 频率 1.25 1.4 1.55 MHz
t
RSI
最小 rsi 脉冲波 宽度 有保证的 用 设计 25 50 ns
t
SS
软-开始 时间 650 µs
t
POR
电源 在 重置 延迟 时间 80 100 120 ms
EL7535
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