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资料编号:296419
 
资料名称:EL7536IYZ-T13
 
文件大小: 430.07K
   
说明
 
介绍:
Monolithic 1A Step-Down Regulator
 
 


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fn7396.5
8月 10, 2005
产品 信息
产品 描述
这 el7536 是 一个 同步的, 整体的 场效应晶体管 1a 步伐-向下
调整器 这个 运作 从一个 输入 的 2.5v 至 6v. 这
输出 电压 是 用户-adjustable 和 一个 一双 的 外部
电阻器.
这 内部-补偿 控制 制造 它 可能 至
使用 仅有的 二 陶瓷的 电容 和 一个 inductor 至 表格 一个
完全, 非常 小 footprint 1a 直流:直流 转换器.
开始-向上 和 shut-向下
当 这 en 管脚 是 系 至 v
, 和 v
reaches
大概 2.4v, 这 调整器 begins 至 转变. 这
输出 电压 是 gradually 增加 至 确保 恰当的 软-
开始 运作.
当 这 en 管脚 是 连接 至 一个 逻辑 低, 这 el7536 是
在 这 shut-向下 模式. 所有 the 控制 电路系统 和 两个都
mosfets 是 止, 和 v
输出
falls 至 零. 在 这个 模式, 这
总的 输入 电流 是 较少 比 1µa.
当 这 en reaches 逻辑 hi, 这 调整器 repeats 这
开始-向上 程序, 包含 这 软-开始 函数.
pwm 运作
在 这 pwm 模式, 这 p 频道 场效应晶体管 和 n 频道
场效应晶体管 总是 运作 complementary. 当 这
pmosfet 是 在 和 这 nmosfet 止, 这 inductor 电流
增加 成直线地. 这 输入 活力 是 transferred 至 这
输出 和 也 贮存 在 这 inductor. 当 这 p 频道
场效应晶体管 是 止 和 这 n 频道 场效应晶体管 在, 这 inductor
电流 减少 成直线地, 和 活力 是 transferred 从
这 inductor 至 这 输出. hence, 这 平均 电流
通过 这 inductor是 这 输出 电流.自从 这 inductor
和 这 输出 电容 act 作 一个 低 通过 过滤, 这 职责
循环 比率 是 大概 equal 至 v
O
分隔 用 v
.
这 输出 lc 过滤 有 一个 第二 顺序 效应. 至 维持
这 稳固 的 这 转换器, 这 整体的 控制 必须 是
补偿. 这个 是 完毕 和 这 fixed 内部
补偿 错误 放大器 和 这 pwm compensator.
因为 这 compensations 是 fixed, 这 值 的 输入
和 输出 电容 是 10µf 至 22µf 陶瓷的. 这
inductor 是 nominally 1.8µh, 但是1.5µa 至 2.2µh 能 是 使用.
100% 职责 比率 运作
el7536 运用 cmos 电源 场效应晶体管's 作 这 内部的
同步的 电源 switches. 这 upper 转变 是 一个 pmos
和 更小的 转变 一个 nmos. 这个 不 仅有的 saves 一个 激励
电容, 它 也 准许 100% 转变-在 的 这 upper pfet
转变, 实现 v
O
关闭 至 v
. 这 最大 achievable
V
O
是,
在哪里 rl 是 这 直流 阻抗 在 这 inductor 和 r
DSON1
这 pfet 在-阻抗, 名义上的 70m
在 房间 温度
/°c.
作 这 输入 电压 drops gradually 关闭 或者 甚至 bellow 这
preset v
O
, 这 转换器 gets 在 100% 职责 比率. 在 这个
情况, 这 upper pfet needs 一些 最小 转变-止
时间 如果 它 是 转变 止. 这个 的f-时间 是 related至 输入/输出
情况. 这个 制造 这 duty 比率 呈现 randomly 和
增加 这 输出 波纹somewhat 直到 这 100% 职责
比率 是 reached. 大 output 电容 可以 减少 这
随机的-looking 波纹. 用户 需要 至 核实 如果 这个 情况
有 adverse 效应 在 整体的 电路 如果 关闭 至 100% 职责
比率 是 预期的.
图示 12. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 13. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
效能 曲线 和 波形
(持续)
所有 波形 是 带去 在 v
=3.3v, v
O
=1.8v, i
O
=1a 和 组件 值 显示 在 页 1 在 房间 包围的 温度, 除非 否则
指出.
电子元件工业联合会 jesd51-3 低 有效的 热的
conductivity 测试 板
0.7
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 255075100 150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
85
607mW
θ
J
一个
=
2
0
6
°
C
/
W
M
S
O
P
1
0
0.5
125
电子元件工业联合会 jesd51-7 高 有效的 热的
conductivity 测试 板
1.2
1
0.4
0
0 255075100 150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
85
1.087w
θ
J
一个
=
1
1
5
°
C
/
W
M
S
O
P
1
0
0.8
0.2
0.6
125
V
O
V
R
L
R
DSON1
+
()
I
O
×
–=
EL7536
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