triquint 半导体 德州 : (972)994 8465 传真 (972)994 8504 网: www.triquint.com
进步 产品 数据手册
3
参数 测试 情况 P
diss
(w
)
T
根基
(
°
c)
T
CH
(
°
c)
R
θ
JC
(
°
c/w)
MTTF
(hrs)
R
θ
JC
热的 阻抗
(频道 至 backside 的
运输车)
vd2t=4.7v,
id2t=150ma +/-5%
.71 80 98 26 >1e6
热的 信息
注释:
1. 为基础 在 一个 详细地 热的 模型 的 这 输出 平台 在哪里 频道 温度 是 最高的.
假设 worst 情况 电源 消耗 情况 (在哪里 非 rf 是 应用 在 这 输入 (非
电源 是 dissipated 在 这 加载).
2. 热的 转移 是 安排 thru 这 bottom 的 这 tga4953epu 包装 在 这 motherboard.
设计 这 motherboard 至 使确信 足够的 热的 转移 至 这 根基 加设护板.
TGA4953EPU
便条: 设备 designated 作 epu 是 典型地 early 在 它们的 描绘 处理 较早的 至 finalizing 所有 电的 和 process
规格. 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
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