EMIF01-5250SC5_集成电路资料查询网

标识 参数 和 测试 情况 值 单位
V
PP
静电释放 释放 iec1000-4-2, 空气 释放
静电释放 释放 iec1000-4-2, 联系 释放
15
8
kV
T
j
接合面 温度 150 °C
T
运算
运行 温度 范围 -30 至 + 85 °C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
T
L
含铅的 温度 为 焊接 在 10s
260 °C
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
BR
I
R
= 1 毫安
678V
I
RM
V
RM
= 3v 1
µ
一个
Rd I
pp
= 10 一个, t
p
= 2.5
µ
s0.55
Ω
Cz 0 v 偏差, v
RMS
= 30 mv,  f = 1 mhz 90 pF
trr I
F
= 10 毫安, di
F
/dt = 20 一个/
µ
s, r
L
= 100
Ω
, tj = 25 °c 40 ns
绝对 最大 比率
(t
amb
= 25 °c)
标识 参数
V
BR
损坏 电压
I
RM
泄漏 电流
Rd
动态 阻抗
C
Z
齐纳 电容
trr
反转 恢复 时间
电的 特性 的 这
齐纳 二极管
(tamb = 25 °c)
V
BR
V
RM
I
V
I
RM
I
R
I
PP
Rd
emif01-5250sc5
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标识参数和测试情况值单位 V PP 静电释放释放 iec1000-4-2, 空气释放静电释放释放 iec1000-4-2, 联系释放 15 8 kV T j 接合面温度 150 °C T 运算运行温度范围 -30 至 + 85 °C T stg 存储温度范围 -55 至 +150 °C T L 含铅的温度为焊接在 10s 260 °C 标识测试情况最小值典型值最大值单位 V BR I R = 1 毫安 678V I RM V RM = 3v 1 µ 一个 Rd I pp = 10 一个, t p = 2.5 µ s0.55 Ω Cz 0 v 偏差, v RMS = 30 mv, f = 1 mhz 90 pF trr I F = 10 毫安, di F /dt = 20 一个/ µ s, r L = 100 Ω , tj = 25 °c 40 ns 绝对最大比率 (t amb = 25 °c) 标识参数 V BR 损坏电压 I RM 泄漏电流 Rd 动态阻抗 C Z 齐纳电容 trr 反转恢复时间电的特性的这齐纳二极管 (tamb = 25 °c) V BR V RM I V I RM I R I PP Rd emif01-5250sc5 2/5

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