emt1 / umt1n / imt1a
晶体管
rev.一个 2/3
z
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数 标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
ce(sat)
f
T
Cob
最小值
−
60
−
50
−
6
−
−
120
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
140
4
−
−
−
−
0.1
−
0.1
560
−
0.5
−
5
VI
C
=
−
50
µ
一个
I
C
=
−
1mA
I
E
=
−
50
µ
一个
V
CB
=
−
60V
V
EB
=
−
6V
V
CE
=
−
6v, i
C
=
−
1mA
V
CE
=
−
12v, i
E
= 2ma, f = 100mhz
I
C
/i
B
=
−
50ma/
−
5mA
V
CB
=
−
12v, i
E
= 0a, f = 1mhz
V
V
µ
一个
µ
一个
−
V
MHz
pF
典型值 最大值 单位 情况
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流转移 比率
集电级-发射级 饱和 电压
转变 频率
输出 电容
z
包装 规格
包装 Taping
代号
UMT1N
EMT1
类型
IMT1A
TR
3000
T2R
8000
−
−
−
T108
3000
−
−
−
基本 订货 单位 (片)
z
电的 典型的 曲线
-0.2
集电级 电流 : ic
(毫安)
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
V
CE
=
−
6V
根基 至 发射级 电压 : v
是
(v)
图.1 grounded 发射级 传播
特性
ta = 100
°
C
25
°
C
−
40
°
C
-0.4
-4
-8
-1.20
-2
-6
-10
-0.8 -1.6 -2.0
-3.5
µ
一个
-7.0
-10.5
-14.0
-17.5
-21.0
-24.5
-28.0
-31.5
I
B
= 0
ta = 25
°
C
-35.0
集电级 电流 : i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.2 grounded 发射级 输出
特性 (
Ι
)
-40
-80
-5-3 -4-2-1
-20
-60
-100
0
I
B
= 0
ta = 25
°
C
集电级 电流 : i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.3 grounded 发射级 输出
特性 (
ΙΙ
)
-50
µ
一个
-100
-150
-200
-250
-500
-450
-400
-350
-300
500
200
100
50
-0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
直流 电流 增益 : h
FE
ta = 25
°
C
V
CE
= -5v
-3v
-1v
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.4 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流 (
Ι
)
500
200
100
50
-0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.5 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流 (
ΙΙ
)
V
CE
= -6v
ta = 100
°
C
-40
°
C
25
°
C
-0.1
-0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
-1
-0.5
-0.2
-0.05
ta = 25
°
C
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.6 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 (
Ι
)
I
C
/i
B
= 50
20
10
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