DS1315
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nonvolatile 控制 运作
这 运作 的 这 nonvolatile 控制 电路 在里面 这 时间 碎片 是 决定 用 这 水平的 的 这
只读存储器/ 内存 选择 管脚. 当 只读存储器/ 内存 是 连接 至 地面, 这 控制 是 设置 在 这 内存 模式
和 执行 这 电路 功能 必需的 至 制造 cmos 内存 和 这 timekeeping 函数
nonvolatile. 一个 转变 是 提供 至 直接 电源 从 这 电池 输入 或者 v
CCI
至 v
CCO
和 一个
最大 电压 漏出 的 0.3 伏特. 这 v
CCO
输出 管脚 是 使用 至 供应 uninterrupted 电源 至 cmos
sram. 这 ds1315 也 执行 redundant 电池 控制 为 高 可靠性. 在 电源-失败, 这
电池 和 这 最高的 电压 是 automatically 切换 至 v
CCO
. 如果 仅有的 一个 电池 是 使用 在 这
系统, 这 unused 电池 输入 应当 是 连接 至 地面.
这 ds1315 保护措施 这 时间 碎片 和 内存 数据 用 电源-失败 发现 和 写 保护.
电源-失败 发现 occurs 当 v
CCI
falls 在下 v
PF
这个 是 设置 用 一个 内部的 bandgap 涉及. 这
ds1315 constantly monitors 这 v
CCI
供应 管脚. 当 v
CCI
是 较少 比 v
PF
, 电源-失败 电路系统 forces
这 碎片 使能 输出 ( CEO ) 至 v
CCI
或者 v
BAT
-0.2 伏特 为 外部 内存 写 保护. 在
名义上的 供应 情况, CEO 将 追踪 CEI 和 一个 传播 延迟. 内部, 这 ds1315 aborts
任何 数据 转移 在 progress 没有 changing 任何 的 这 时间 碎片 寄存器 和 阻止 future 进入
直到 v
CCI
超过 v
PF
. 一个 典型 内存/时间 碎片 接口 是 illustrated 在 图示 3.
当 这 只读存储器/ 内存 管脚 是 连接 至 v
CCO
, 这 控制 是 设置 在 这 只读存储器 模式. 自从 只读存储器 是 一个
读-仅有的 设备 那 retains 数据 在 这 absence 的 电源, 电池 backup 和 写 保护 是 不
必需的. 作 一个 结果, 这 碎片 使能 逻辑 将 强迫 CEO 低 当 电源 失败. 不管怎样, 这 时间
碎片 做 retain 这 一样 内部的 nonvolatility 和 写 保护 作 描述 在 这 内存 模式. 一个
典型 只读存储器/时间 碎片 接口 是 illustrated 在 图示 4.
ds1315 至 内存/时间 碎片 接口
图示 3
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