ES1一个–ES1J1的
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©200
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W在-T运算Electronics
es1a – es1j
1.0a 表面 挂载 超级的 快 整流器
特性
!
glass 钝化的 消逝 构建
!
ideally suited 为 自动 组装 b
!
低 向前 电压 漏出, 高 效率
!
surge 超载 比率 至 30a 顶峰 d
!
低 电源 丧失 一个
!
超级的-快 恢复 时间 f
!
塑料 情况 材料 有 ul flammability
分类 比率 94v-o c h g
E
机械的 数据
!
情况: 低 profile 模塑的 塑料
!
terminals: 焊盘 镀有, solderable
每 mil-标准-750, 方法 2026
!
极性: cathode 带宽 或者 cathode notch
!
标记: 类型 号码
!
重量: 0.064 grams (approx.)
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
典型的 标识 ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 100 150 200 300 400 600 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 70 105 140 210 280 420 V
平均 调整的 输出 电流 @t
L
= 120°c I
O
1.0 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
30 一个
向前 电压 @i
F
= 1.0a V
FM
0.95 1.25 1.7 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @t
一个
= 100°c
I
RM
5.0
500
µA
反转 恢复 时间 (便条 1) t
rr
35 nS
典型 接合面 电容 (便条 2) C
j
10 pF
典型 热的 阻抗 (便条 3) R
JL
35 k/w
运行 和 存储 温度 范围 T
j,
T
STG
-65 至 +150 °C
便条: 1. 量过的 和 i
F
= 0.5a, i
R
= 1.0a, i
rr
= 0.25a,
2. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0 v 直流.
3. 挂载 在 p.c. 板 和 8.0mm
2
地带 范围.
WTE
电源 半导体
sma/做-214ac
Dim 最小值 最大值
一个
2.50 2.90
B
4.00 4.60
C
1.40 1.60
D
0.152 0.305
E
4.80 5.28
F
2.00 2.44
G
0.051 0.203
H
0.76 1.52
所有 维度 在 mm
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