max312/max313/max314
10
Ω
, 四方形, spst, cmos 相似物 switches
4 _______________________________________________________________________________________
电的 characteristics—single 供应
(v+ = 12v, v- = 0v, vl = 5v, 地 = 0v, v
INH
= 2.4v, v
INL
= 0.8v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出.)
便条 2:
这 algebraic convention, 在哪里 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 值 一个 最大, 是 使用 在
这个 数据 薄板.
便条 3:
有保证的 用 设计.
便条 4:
∆
R
在
=
∆
R
在
最大值 -
∆
R
在
最小值
便条 5:
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这 最大 和 最小 值 的 在-阻抗 作 量过的 在 这
指定 相似物 信号 范围.
便条 6:
泄漏 参数 是 100% 测试 在 最大-评估 hot 温度 和 有保证的 用 correlation 在 +25°c.
便条 7:
止 分开 = 20log
10
[V
COM
/ (v
NC
或者 v
非
)], v
COM
= 输出, v
NC
或者 v
非
= 输入 至 止 转变.
便条 8:
在 任何 二 switches.
便条 9:
泄漏 测试 在 单独的 供应 是 有保证的 用 测试 和 双 供应.
(便条 3)
情况
V0V+
V
COM
_,
V
非
_,
V
NC
_
相似物 信号 范围
单位
最小值 典型值 最大值
(便条 2)
SYMBOLPARAMETER
12.5 25
I
COM
= 10ma,
V
NC
_ 或者 v
非
_ +10v
R
在
频道 在-阻抗
35
Ω
-1 0.0001 1
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最小值
至 t
最大值
100 325
图示 2,
V
非
_ 或者 v
NC
_ = 8v
ns
425
t
在
转变-在 时间
(便条 3)
max314 仅有的, 图示 3
R
L
= 300
Ω
,
C
L
= 35pf
t
D
破裂-在之前-制造 时间 延迟
(便条 3)
5 ns
I+积极的 供应 电流
-5 5
µA
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最大值
v+ = 13.2v
所有 途径 在 或者 止,
V
在
= 0v 或者 5v
-1 0.0001 1
V
L
= 5.5v
所有 途径 在 或者 止,
V
在
= 0v 或者 5v
I
L
逻辑 供应 电流
-5 5
µA
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最大值
-1 -0.0001 1
V
L
= 5.5v
所有 途径 在 或者 止,
V
在
= 0v 或者 5v
I
地
地面 电流
-5 5
µA
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最大值
图示 4,
C
L
= 1.0nf,
V
GEN
= 0v,
R
GEN
= 0v
V
CTE
承担 injection
(便条 3)
-5 pC
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最小值
至 t
最大值
T
一个
= +25°c
T
一个
= t
最小值
至 t
最大值
95 175
图示 2,
V
非
_ 或者 v
NC
_ = 8v
ns
225
t
止
转变-止 时间
(便条 3)
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
相似物 转变
电源 供应
动态
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