Si4850EY
vishay siliconix
文档 号码: 71146
s-40572—rev. d, 29-三月-04
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3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0 8 16 24 32 40
0
2
4
6
8
10
048121620
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150 175
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 102030405060
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 v
I
D
= 6.0 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 6.0 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
−
电容 (pf)
V
GS
−
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
−
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (
c)
V
GS
= 4.5 v
2.0 2.5
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0246810
1
10
50
I
D
= 6.0 一个
0.00 0.5 1.0 1.5
T
J
= 25
C
T
J
= 175
C
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)