SI4850EY-T1-E3_集成电路资料查询网

Si4850EY
vishay siliconix
文档 号码: 71146
s-40572—rev. d, 29-三月-04
www.vishay.com
3
典型 特性 (25

c 除非 指出)
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50
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C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 v
I
D
= 6.0 一个
V
GS
= 10 v
I
D
=  6.0 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
−
电容 (pf)
V
GS
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
I
D
−
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (

c)
V
GS
= 4.5 v
2.0 2.5
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0246810
1
10
50
I
D
= 6.0 一个
0.00 0.5 1.0 1.5
T
J
= 25

C
T
J
= 175

C
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)

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Si4850EY vishay siliconix 文档号码: 71146 s-40572—rev. d, 29-三月-04 www.vishay.com 3 典型特性 (25  c 除非指出) 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0 8 16 24 32 40 0 2 4 6 8 10 048121620 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 175 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 102030405060 C rss C oss C iss V DS = 30 v I D = 6.0 一个 V GS = 10 v I D = 6.0 一个 V GS = 10 v 门承担在-阻抗 vs. 流电流 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) V DS − 流-至-源电压 (v) C − 电容 (pf) V GS − 在-阻抗 (r ds(在)  ) I D − 流电流 (一个) 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J − 接合面温度 (  c) V GS = 4.5 v 2.0 2.5 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0246810 1 10 50 I D = 6.0 一个 0.00 0.5 1.0 1.5 T J = 25  C T J = 175  C 源-流二极管向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) V SD − 源-至-流电压 (v) V GS − 门-至-源电压 (v) − 源电流 (一个)I S r ds(在) − 在-resiistance (normalized)

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