绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
输入 电压 -0.3 至 6.5v
输出 电压 -0.3 至 (v
在
+ 0.3v) 至
6.5v (最大值)
使能 输入 电压 -0.3 至 (v
在
+ 0.3v) 至
6.5v (最大值)
接合面 温度 150˚C
含铅的/垫子 温度 (便条 3)
llp/sot23 235˚C
微观的 SMD 260˚C
存储 温度 -65 至 150˚C
持续的 电源 消耗
内部 限制(便条 4)
静电释放 (便条 5)
人 身体 模型 2KV
机器 模型 200V
运行 比率
(便条 1)
输入 电压 2V 至 6V
使能 输入 电压 0 至 (v
在
+ 0.3v) 至
6.0v (最大值)
接合面 温度 -40˚c 至 125˚C
包围的 温度 T
一个
范围
(便条 6)
-40˚c 至 85˚C
热的 Properties
(便条 1)
接合面 至 包围的 热的
阻抗(便条 8)
θ
JA
(llp-6) 88˚c/w
θ
JA
(microsmd) 220˚c/w
θ
JA
sot23-5 220˚c/w
电的 特性
除非 否则 指出, V
EN
=950mv, V
在
=V
输出
+ 1.0v, 或者 2.0v, whichever 是 高等级的. C
在
= 1 µf, I
输出
= 1 毫安, C
输出
=0.47
µf. 典型 值 和 限制 appearing 在 正常的 类型 应用 为 T
J
= 27˚c. 限制 appearing 在
黑体字
类型 应用 在 这
全部 接合面 温度 范围 为 运作, −40 至 +125˚c. (便条 13)
标识 参数 情况 典型值
限制
单位
最小值 最大值
V
在
输入 电压 (便条 14) 2 6 V
∆
V
输出
输出 电压 容忍 I
加载
= 1 毫安 微观的 SMD -1 +1
%
LLP -1.5 +1.5
在 全部 线条
和 加载
规章制度.
微观的 SMD
-2.5 +2.5
LLP
-3 +3
线条 规章制度 错误 V
在
=(v
输出(nom)
+ 1.0v) 至 6.0v, 0.02
-0.1 0.1
%/v
加载 规章制度 错误 I
输出
= 1mA
至 150mA
V
输出
= 0.8 至 1.95v
MicroSMD
0.002
-0.005 0.005
%/毫安
V
输出
= 0.8 至 1.95v
llp, sot-23
0.003
-0.008 0.008
V
输出
= 2.0 至 3.3v
MicroSMD
0.0005
-0.002 0.002
V
输出
= 2.0 至 3.3v
llp, sot-23
0.002
-0.005 0.005
V
做
落后 电压 I
输出
= 150mA
(便条 7)
120
mV
I
加载
加载 电流 (注释 9, 10) 0 µA
I
Q
安静的 电流 V
EN
= 950mv, I
输出
= 0mA 43
80
µAV
EN
= 950mv, I
输出
= 150mA 65
120
V
EN
= 0.4v 0.002 0.2
I
SC
短的 电路 电流 限制 (便条 11) 550
1000
毫安
I
输出
最大 输出 电流
150
毫安
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 f = 1khz, I
输出
= 1mA 至 150mA 55
dB
f = 10khz, I
输出
= 150mA 35
LP3990
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