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资料编号:307364
 
资料名称:F1206
 
文件大小: 36.08K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR  
 
 


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  浏览型号F1206的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
pout vs 管脚 图表
F1206
f1c 1die 电容
vds 在 伏特
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
Crss
Coss
Ciss
f1c 1die iv 曲线
vds 在 伏特
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vg = 2v vg = 4v vg = 6v vg = 8v vg = 10v vg = 12v
f1c 1die gm &放大; idvs vgs
vgs 在 伏特
0.1
1
10
0 2 4 6 8 10 12 14
Gm
Id
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
电容 vs 电压
iv 曲线 id 和 gm vs vgs
s11 和 s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
修订 8/1/97
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