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MRF186
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral 场效应晶体管
设计 f或者 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies从 800 mhz 至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这个
设备 制造 它 完美的 为 large–signal, 一般 源 放大器 产品 在 28
volt 根基 station 设备.
•
有保证的 效能 @ 960 mhz, 28 伏特
输出 电源 — 120 watts pep
电源 增益 — 11 db
效率 — 30%
交调 扭曲量 — –28 dbc
•
极好的 热的 稳固
•
100% 测试 为 加载 mismatch 压力 在 所有 阶段 angles 和
5:1 vswr @ 28 vdc, 960 mhz, 120 watts cw
最大 比率
(2)
比率
标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1 m
Ω
) V
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
20 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
14 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 70
°
C
减额 在之上 70
°
C
P
D
162.5
1.25
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
(2)
典型的
标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.8
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf186/d
半导体 技术的 数据
1.0 ghz, 120 w, 28 v
lateral n–channel
BROADBAND
rf 电源 场效应晶体管
情况 375b–04, 样式 1
NI–860
motorola, 公司 2002
rev 5
archived 用 freescale semiconductor, 公司 2005
archived 2005
一个
R
C
H
I
V
E
D
2
0
0
5
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