mrf184 mrf184s
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motorola rf 设备 数据
电的 特性 – 持续
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 v, i
D
= 200
µ
一个)
V
gs(th)
2 3 4 Vdc
门 安静的 电压
(v
DS
= 28 v, i
D
= 100 毫安)
V
gs(q)
3 4 5 Vdc
drain–source on–voltage
(v
GS
= 10 v, i
D
= 3 一个)
V
ds(在)
– 0.65 0.8 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 v, i
D
= 3 一个)
g
fs
2.2 2.6 – s
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz)
C
iss
– 83 – pF
输出 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz)
C
oss
– 44 – pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz)
C
rss
– 4.3 – pF
函数的 特性
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 60 w, f = 945 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
G
ps
11.5 15 – dB
流 效率
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 60 w, f = 945 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
η
53 60 – %
加载 mismatch
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 60 w, i
DQ
= 100 毫安, f = 945 mhz,
加载 vswr 5:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
图示 1. mrf184 测试 电路 图式
B1 短的 rf bead fair rite–2743019447
C1 18 pf 碎片 电容
c2, c3, c6, c9 43 pf 碎片 电容
C4 100 pf 碎片 电容
c5, c12 10
µ
f, 50 vdc electrolytic 电容
c7, c10 1000 pf 碎片 电容
c8, c11 0.1
µ
f, 50 vdc 碎片 电容
C13 250
µ
f, 50 vdc electrolytic 电容
R1
R2
R3
C1
C2
C3
C4
C5
C6 C7
C8
C9
C10
C11
L1
B1
R4
DUT
C13
C12
TL1
TL2
TL3
TL4
RF
输入
RF
输出
V
GG
V
DD
L1 5 转变, 20 awg, idia 0.126
″
R1 10 k
Ω
, 1/4 w 电阻
R2 13 k
Ω
, 1/4 w 电阻
R3 1.0 k
Ω
, 1/4 w 碎片 电阻
R4 4 x 39
Ω
, 1/8 w 碎片 电阻
TL1–TL4 microstrip 线条 看 photomaster
ckt 板 1/32
″
glass teflon,
ε
r
= 2.55
ARLON–GX–0300–55–22
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