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mrf19125 mrf19125s mrf19125sr3
motorola rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 为 pcn 和 pcs 根基 station 产品 和 发生率 从
1.9 至 2.0 ghz. 合适的 为 tdma, cdma 和 multicarrier 放大器
产品.
•
典型 2–carrier n–cdma 效能 为 v
DD
= 26 伏特,
I
DQ
= 1300 毫安, f1 = 1958.75 mhz, f2 = 1961.25 mhz
is–95 cdma (领航员, 同步, paging, 交通量 代号 8 通过 13)
1.2288 mhz 频道 带宽 运输车. 调整 途径 量过的
在 一个 30 khz 带宽 在 f1 –885 khz 和 f2 +885 khz. 扭曲量
产品 量过的 在 1.2288 mhz 带宽 在 f1 –2.5 mhz 和
f2 +2.5 mhz. 顶峰/avg. = 9.8 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
输出 电源 — 24 watts avg.
电源 增益 — 13.6 db
效率 — 22%
acpr —
–51 db
im3 —
–37.0 dbc
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, 1990 mhz, 125 watts (cw)
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
有 在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch
卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
+15, –0.5 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
330
1.89
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +200
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 2 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.53
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf19125/d
半导体 技术的 数据
1990 mhz, 125 w, 26 v
lateral n–channel
rf 电源 mosfets
情况 465c–02, 样式 1
(ni–880s)
(mrf19125s)
情况 465b–03, 样式 1
(ni–880)
(mrf19125)
motorola, 公司 2002
rev 2
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