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mrf21085r3 mrf21085sr3 mrf21085lsr3
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计为 w-cdma 根基 station 产品 和发生率 从 2110
至 2170 mhz. 合适的 为 tdma, cdma和 multicarrier 放大器 applica-
tions. 至 是 使用 在 类 ab for pCN - PCS/cellul一个r r一个dio 一个nd wLL
产品.
•
典型 2-运输车 w-cdma 效能 为 v
DD
= 28 伏特,
I
DQ
= 1000 毫安, f1 = 2135 mhz, f2 = 2145 mhz, 频道 带宽 =
3.84 mhz, 调整 途径 量过的 在 3.84 mhz bw @ f1
-
5 mhz
和 f2 +5 mhz, 扭曲量 产品 量过的 在 一个 3.84 mhz bw
@ f1-10 mhz 和 f2 +10 mhz, 顶峰/avg. = 8.3 db @ 0.01% probability
在 ccdf.
输出 电源 — 19 watts avg.
电源 增益 — 13.6 db
效率 — 23%
im3 —-37.5 dbc
acpr —-41 dbc
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 28 vdc, 2170 mhz, 90 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
有 和 低 金 镀层 厚度 在 leads. l 后缀 indicates
40
µ″
名义上的.
•
在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
65 Vdc
门-源 电压 V
GS
-0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
224
1.28
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 值 (1) 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.78
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
(1) 谈及 至 an1955/d,
热的 度量 methodology 的 rf 电源 放大器.
go 至 http://www.motorola.com/半导体/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1955.
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf21085/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF21085R3
MRF21085SR3
MRF21085LSR3
2170 mhz, 90 w, 28 v
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
情况 465-06, 样式 1
NI-780
MRF21085R3
情况 465a-06, 样式 1
NI-780S
mrf21085sr3, mrf21085lsr3
motorola, 公司 2004
rev 6
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freescale 半导体, 公司
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