MTD20N03HDL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
DSS
, 泄漏 (na)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)t
J
, 接合面 温度 (
°
c)
I
D
, 流 电流 (放大器) I
D
, 流 电流 (放大器)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特) V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.00.2 0.6 1.0 1.4 1.8
0
10
20
40
图示 1. on–region 特性
0
10
20
30
40
图示 2. 转移 特性
0 16 32 40
0.020
0.028
0.036
0.044
0.052
0.020
0.028
0.036
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
0.6
0.8
1.0
1.2
1.8
1
1000
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
30
V
GS
= 10 v
8 v
6 v
2.5 v
3 v
T
J
= 25
°
C
4 v
1.0 1.8 2.6 3.4 4.64.2 5.0
V
DS
≥
10 v
100
°
C
25
°
C
V
GS
= 5 v
– 55
°
C
25
°
C
0 16 24 32 40
0.032
0.024
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
0 6 12 24 3018
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
T
J
= – 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 5 v
10 v
V
GS
= 5 v
I
D
= 10 一个
1.4 2.2 3.0 3.8
100
10
100
°
C
25
°
C
3.5 v
4.5 v
5 v
1.6
8 24 8
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