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资料编号:310741
 
资料名称:IRF3205PBF
 
文件大小: 176.66K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF3205PbF
2 www.irf.com
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 current integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 62a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 69 104 ns T
J
= 25°c, i
F
= 62a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 143 215 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
110
390
一个
开始 t
J
= 25°c, l = 138µh
R
G
= 25
, i
= 62a. (看 图示 12)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
注释:
I
SD
62a, di/dt
207a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
175°C
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的
接合面 温度. 包装 限制 电流 是 75a.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 55 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.057 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 8.0 m
V
GS
= 10v, i
D
= 62a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 44 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 62a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 44v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 146 I
D
= 62a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 35 nC V
DS
= 44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 54 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 14 ––– V
DD
= 28v
t
r
上升 时间 ––– 101 ––– I
D
= 62a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 50 ––– R
G
= 4.5
t
f
下降 时间 ––– 65 ––– V
GS
= 10v, 看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 3247 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 781 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 211 ––– pF ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 1050
264
mJ I
= 62a, l = 138
µ
H
nH
L
D
内部的 流 电感
L
S
内部的 源 电感 ––– –––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
这个 是 一个 典型 值 在 设备 destruction 和 代表
运作 外部 评估 限制.
这个 是 一个 计算 值 限制 至 t
J
= 175°c.
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