绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impared
存储 温度 (t
STG
) −65˚C 至 +150˚C
最大 接合面 温度 (t
J
)
陶瓷的 +175˚C
V
EE
管脚 潜在的 至 地面 管脚 −7.0v 至 +0.5v
输入 电压 (直流) V
EE
至 + 0.5v
输出 电流 (直流 输出 高) −50 毫安
静电释放 (便条 2)
≥
2000V
推荐 运行
情况
情况 温度 (t
C
)
军队 −55˚C 至 +125˚C
供应 电压 (v
EE
) −5.7v 至 −4.2v
便条 1:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 de-
恶行 将 是 损坏 或者 有 它的 有用的 生命 impaired. 函数的 运作
下面 这些 情况 是 不 暗指.
便条 2:
静电释放 测试 遵从 至 mil-标准-883, 方法 3015.
军队 版本
直流 电的 特性
V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v, V
CC
=
V
CCA
=
地, T
C
=
−55˚C 至 +125˚C
标识 参数 最小值 最大值 单位 T
C
情况 注释
V
OH
输出 高 电压 −1025 −870 mV 0˚C 至
+125˚C
−1085 −870 mV −55˚C V
在
=
V
IH
(最大值) 加载 和 (注释 3, 4, 5)
V
OL
输出 低 电压 −1830 −1620 mV 0˚C 至 或者 V
IL
(最小值) 50
Ω
至 −2.0v
+125˚C
−1830 −1555 mV −55˚C
V
OHC
输出 高 电压 −1035 mV 0˚C 至
+125˚C
−1085 mV −55˚C V
在
=
V
IH
(最小值) 加载 和 (注释 3, 4, 5)
V
OLC
输出 低 电压 −1610 mV 0˚C 至 或者 V
IL
(最大值) 50
Ω
至 −2.0v
+125˚C
−1555 mV −55˚C
V
IH
输入 高 电压 −1165 −870 mV −55˚C 至 有保证的 高 信号 为 所有 输入 (注释 3, 4, 5, 6)
+125˚C
V
IL
输入 低 电压 −1830 −1475 mV −55˚C 至 有保证的 低 信号 为 所有 输入 (注释 3, 4, 5, 6)
+125˚C
I
IL
输入 低 电流 0.50 µA −55˚C 至 V
EE
=
−4.2v (注释 3, 4, 5)
+125˚C V
在
=
V
IL
(最小值)
I
IH
输入 高 电流 240 µA 0˚C 至 V
EE
=
−5.7v
V
在
=
V
IH
(最大值)
(注释 3, 4, 5)
+125˚C
340 µA −55˚C
I
EE
电源 供应 电流 −55˚C 至 输入 打开
−132 −42 毫安 +125˚C V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v (注释 3, 4, 5)
便条 3:
F100K 300 序列 cold 温度 测试 是 执行 用 温度 soaking (至 保证 接合面 温度 相等 −55˚c), 然后 测试 立即
没有 准许 为 这 接合面 温度 至 stabilize 预定的 至 热温 消耗 之后 电源-向上. 这个 提供 “cold start” 规格 这个 能 是 考虑 一个 worst 情况
情况 在 cold 温度.
便条 4:
Screen 测试 100
%
在 各自 设备 在 −55˚c, +25˚c, 和 +125˚c, Subgroups 1, 2, 3, 7, 和 8.
便条 5:
样本 测试 (方法 5005, 表格 i) 在 各自 制造的 lot 在 −55˚c, +25˚c, 和 +125˚c, Subgroups a1, 2, 3, 7, 和 8.
便条 6:
有保证的 用 应用 指定 输入 情况 和 测试 V
OH
/v
OL
.
交流 电的 特性
V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v, V
CC
=
V
CCA
=
地
标识 参数 T
C
=
−55˚C T
C
=
+25˚C T
C
=
+125˚C 单位 情况 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
f
最大值
Toggle 频率 400 400 400 MHz
计算数量 1, 2
(便条 10)
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