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资料编号:311260
 
资料名称:IRF3717
 
文件大小: 248.86K
   
说明
 
介绍:
HEXFETPower MOSFET
 
 


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www.irf.com 5
图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
图 9.
最大 流 电流 vs.
包围的 温度
图 10.
门槛 电压 vs. 温度
25 50 75 100 125 150
T
一个
, 包围的 温度 (°c)
0
5
10
15
20
I
D
,
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
1.0
1.5
2.0
2.5
V
G
S
(
t
h
)
G
一个
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
I
D
= 250µa
1e-006 1e-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
h
e
r
m
一个
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
一个
)
0.20
0.10
d = 0.50
0.02
0.01
0.05
单独的 脉冲波
( 热的 回馈 )
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰T = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
ri (°c/w)
τ
i (秒)
1.4174 0.000277
11.3607 0.103855
21.8639 1.362000
15.3721 39.60000
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