january 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
描述
这 hef4720b 和 hef4720v 是 256-位, 1-位 每 文字
随机的 进入 memories 和 3-状态 输出. 这
memories 是 全部地 解码 和 完全地 静态的.
推荐 供应 电压 范围 为 hef4720b 是 3 至
15 v 和 为 hef4720v 是 4,5 至 12,5 v; 最小
保卫-用 电压 为 两个都 类型 是 3 v.
这 使用 的 locmos 给 这 增加 有利因素 的 非常
低 保卫-用 电源. 这 电路 能 是 直接地 连接
和 标准 双极 设备 (ttl) 没有 使用 特定的
接口 电路. 这 记忆 运作 从 一个 单独的
电源 供应. 这 独立的 碎片 选择 输入 (
cs) 准许
简单的 记忆 expansion 当 这 输出 是 线-o
red. 如果 CS 是 高, 这 输出 是 floating 和 非 新
信息 能 是 写 在 这 记忆. 这 信号 在
o 有 这 一样 极性 作 这 数据 输入 d, 当 这
信号 在 O 是 这 complement 的 这 信号 在 o. 这 写
控制 w 必须 是 高 为 writing 在 这 记忆.
图.1 函数的 图解.
图.2 固定 图解.
家族 数据
看 家族 规格.
hef4720bp; hef4720vp(n): 16-含铅的 dil; 塑料
(sot38-1)
hef4720bd; hef4720vd(f): 16-含铅的 dil; 陶瓷的
(cerdip) (sot74)
hef4720bt; hef4720vt(d): 16-含铅的 所以; 塑料
(sot109-1)
( ): 包装 designator 北 america
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