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IRF520N
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
100
200
300
400
500
600
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-sourceVoltage (v)
一个
V=0V,         f = 1MHz
C=C+c     ,   cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
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rssgd
oss        ds         gd
C
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C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q, total gateCharge (nc)
G
v     , gate-至-source voltage(v)
GS
V=80V
V=50V
V=20V
DS
DS
DS
一个
为 测试 电路
SEE图URE13
i    = 5.7一个
D
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
t  =25°C
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , reverse drain current (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
0.1
1
10
100
1 10 100 1000
V, dra在-至-sourceVoltage (v)
DS
i   , 流 电流 (一个)
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BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
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t     =25°C
t     =175°C
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C
J

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IRF520N 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压 0 100 200 300 400 500 600 1 10 100 c, 电容 (pf) DS V, drain-至-sourceVoltage (v) 一个 V=0V, f = 1MHz C=C+c , cSHORTE D C=C C=C+C GS 是s gs gdds rssgd oss ds gd C iss C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 Q, total gateCharge (nc) G v , gate-至-source voltage(v) GS V=80V V=50V V=20V DS DS DS 一个为测试电路 SEE图URE13 i = 5.7一个 D 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 t =25°C J V=0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , reverse drain current (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 V, dra在-至-sourceVoltage (v) DS i , 流电流 (一个) OP ER 一个TIO N在TH是一个 RE 一个LIM 它ED BYR D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u lse C J

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