irf530ns/l
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 9.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 130 190 ns T
J
= 25°c, i
F
= 9.0a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 650 970 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
DV
(br)dss
/dt
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.12 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.11
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 9.0a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 6.4 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 9.0a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 80v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 44 I
D
= 9.0a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 6.2 nC V
DS
= 80v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 21 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 6.4 ––– V
DD
= 50v
t
r
上升 时间 ––– 27 ––– I
D
= 9.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 37 ––– R
G
= 12
Ω
t
f
下降 时间 ––– 25 ––– R
D
= 5.5
Ω
, 看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 640 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 160 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 88 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
ns
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nH
7.5
L
S
内部的 源 电感
开始 t
J
= 25°c, l = 3.1mh
R
G
= 25w, i
作
= 9.0a. (看 图示 12)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
注释:
I
SD
≤
9.0a, di/dt
≤
180a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°C
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
使用 irf530n 数据 和 测试 情况
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb ( fr-4 或者 g-10 材料 ).
为 推荐 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
源-流 比率 和 特性
S
D
G
17
60
一个
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