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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
JFET Ċ 一般 目的
晶体管
N–Channel
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DS
25 Vdc
drain–gate 电压 V
DG
25 Vdc
反转 gate–source 电压 V
gs(r)
25 Vdc
门 电流 I
G
10 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbf5457lt1 = 6d
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
gate–source 损坏 电压
(i
G
= 10
µ
模数转换器, v
DS
= 0)
V
(br)gss
25 — — Vdc
门 反转 电流
(v
GS
= 15 vdc, v
DS
= 0)
(v
GS
= 15 vdc, v
DS
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
GSS
—
—
—
—
1.0
200
nAdc
门 源 截止 电压
(v
DS
= 15 vdc, i
D
= 10 nadc)
V
gs(止)
0.5 — –6.0 Vdc
门 源 电压
(v
DS
= 15 vdc, i
D
= 100
µ
模数转换器)
V
GS
— – 2.5 — Vdc
在 特性
zero–gate–voltage 流 电流
(2)
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0)
I
DSS
1.0 — 5.0 mAdc
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
630 ms, 职责 循环
≤
10%.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 mmbf5457lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBF5457LT1
1
2
3
情况 318 –08, 样式 10
SOT–23 (至–236ab)
motorola, 公司 1996
2 源
3
门
1 流
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