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飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos

晶体管 irf540, irf540s
图.13.   典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.14.  最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比 avalanche 时间 (t
AV
);
unclamped inductive 加载
0
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30
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
175 c
vgs = 0 v
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10
avalanche 时间, t
AV
(ms)
最大 avalanche 电流, i
作
(一个)
tj 较早的 至 avalanche = 150 c
25 c
8月 1999 6 rev 1.100

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飞利浦半导体产品规格 n-频道 trenchmos  晶体管 irf540, irf540s 图.13. 典型反转二极管电流. I F = f(v SDS ); 情况: v GS = 0 v; 参数 t j 图.14. 最大容许的非-repetitive avalanche 电流 (i 作 ) 相比 avalanche 时间 (t AV ); unclamped inductive 加载 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 源-流电压, vsds (v) 源-流二极管电流, 如果 (一个) tj = 25 c 175 c vgs = 0 v 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 avalanche 时间, t AV (ms) 最大 avalanche 电流, i 作 (一个) tj 较早的至 avalanche = 150 c 25 c 8月 1999 6 rev 1.100

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