k9f5608u0a-ycb0,k9f5608u0a-yib0
flash 记忆
2
32m x 8 位 与非 flash 记忆
这 k9f5608u0a 是 一个 32m(33,554,432)x8bit 与非 flash
记忆 和 一个 spare 1,024k(1,048,576)x8bit. 它的 与非 cell
提供 这 大多数 费用-有效的 解决方案 为 这 固体的 状态
mass 存储 market. 一个 程序 运作 programs 这 528-
字节 页 在 典型 200
µ
s 和 一个 擦掉 运作 能 是 每-
formed 在 典型 2ms 在 一个 16k-字节 块. 数据 在 这 页
能 是 读 输出 在 50ns 循环 时间 每 字节. 这 i/o 管脚 提供
作 这 端口 为 地址 和 数据 输入/输出 作 好 作 com-
mand 输入. 这 在-碎片 写 控制 automates 所有 pro-
gram 和 擦掉 功能 包含 脉冲波 repetition, 在哪里
必需的, 和 内部的 verification 和 margining 的 数据. 甚至
这 写-intensive 系统 能 引领 有利因素 的 这
K9F5608U0A
′
s 扩展 可靠性 的 100k 程序/擦掉
循环 用 供应 ecc(错误 correcting 代号) 和 real 时间
mapping-输出 algorithm.
这 k9f5608u0a-ycb0/yib0 是 一个 最佳的 解决方案 为 大
nonvolatile 存储 产品 此类 作 固体的 状态 文件 存储
和 其它 可携带的 产品 需要 非-volatility.
一般 描述特性
•
电压 供应 : 2.7v~3.6v
•
Organization
- 记忆 cell 排列 : (32m + 1024k)位 x 8bit
- 数据 寄存器 : (512 + 16)位 x8bit
•
自动 程序 和 擦掉
- 页 程序 : (512 + 16)字节
- 块 擦掉 : (16k + 512)字节
•
528-字节 页 读 运作
- 随机的 进入 : 10
µ
s(最大值.)
- 串行 页 进入 : 50ns(最小值.)
•
快 写 循环 时间
- 程序 时间 : 200
µ
s(典型值.)
- 块 擦掉 时间 : 2ms(典型值.)
•
command/地址/数据 多路复用 i/o 端口
•
硬件 数据 保护
- 程序/擦掉 lockout 在 电源 transitions
•
可依靠的 cmos floating-门 技术
-忍耐力 : 100k 程序/擦掉 循环
- 数据 保持 : 10 年
•
command 寄存器 运作
•
intelligent copy-后面的
•
包装 :
- k9f5608u0a-ycb0/yib0 :
48 - 管脚 tsop i (12 x 20 / 0.5 mm 程度)
管脚 配置
便条
: 连接 所有 vCC和 vSS管脚 的 各自 设备 至 一般 电源 供应 输出.
做 不 leave vCC或者 vSSdisconnected.
k9f5608u0a-ycb0/yib0
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n.c
地
r/B
RE
CE
n.c
n.c
Vcc
Vss
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CLE
ALE
我们
WP
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
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n.c
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i/o6
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i/o4
n.c
n.c
n.c
Vcc
Vss
n.c
n.c
n.c
i/o3
i/o2
i/o1
i/o0
n.c
n.c
n.c
n.c
管脚 名字 管脚 函数
i/o0~ i/o7 数据 输入/输出
CLE command 获得 使能
ALE 地址 获得 使能
CE 碎片 使能
RE 读 使能
我们 写 使能
WP 写 保护
地 地 输入 为 enabling spare 范围
r/B 准备好/busy 输出
VCC 电源
VSS 地面
n.c 非 连接
管脚 描述