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资料编号:315200
 
资料名称:MRF5711LT1
 
文件大小: 212.8K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon High-Frequency Transistors
 
 


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mmbr571lt1 mrf571 mrf5711lt1
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 1.0 毫安, i
B
= 0) V
(br)ceo
10 12 Vdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= 0.1 毫安, i
E
= 0) V
(br)cbo
20 Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= 50
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
2.5 Vdc
集电级 截止 电流 (v
CB
= 8.0 vdc, i
E
= 0) I
CBO
10
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益 (i
C
= 30 madc, v
CE
= 5.0 vdc) h
FE
50 300
动态 特性
collector–base 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) MMBR571LT1
(v
CB
= 6.0 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) mrf5711lt1, mrf571
C
cb
0.7
0.75
1.0
1.0
pF
电流 gain–bandwidth produc
(v
CE
= 5.0 vdc, i
C
= 50 madc, f = 1.0 ghz) MMBR571LT1
(v
CE
= 8.0 vdc, i
C
= 50 madc, f = 1.0 ghz) mrf5711lt1, mrf571
f
T
8.0
8.0
GHz
函数的 tests
增益 @ 噪音 图示 MRF571 f = 0.5 ghz
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 6.0 vdc) MRF571 f = 1.0 ghz
G
NF
10
16.5
12
dB
噪音 图示 MRF571 f = 0.5 ghz
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 6.0 vdc) MRF571 f = 1.0 ghz
f = 2.0 ghz
NF
1.0
1.5
2.8
2.0
dB
增益 @ 噪音 图示
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBR571LT1 f = 0.5 ghz
f = 1.0 ghz
(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 6.0 vdc) MRF5711LT1 f = 1.0 ghz
G
NF
16.5
10.5
13.5
dB
噪音 图示
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBR571LT1 f = 0.5 ghz
f = 1.0 ghz
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 6.0 vdc) MRF5711LT1 f = 1.0 ghz
NF
2.0
2.6
2.2
dB
噪音 图示
(v
CE
= 6.0 v, i
C
= 10 毫安, f = 1.0 ghz) MRF5711LT1
NF
最小值
1.6 dB
电源 增益 在 50
系统 (v
CE
= 6.0 v, i
C
= 10 毫安, f = 1.0 ghz)
MRF5711LT1
|S
21
|
2
9.0 10 dB
图示 1. 最大 有 增益
相比 频率
图示 2. 电流 gain–bandwidth 相比
集电级 电流 @ 1.0 ghz
25
20
15
10
5
0
0.4 0.6 1 2 3
f, 频率 (ghz)
G
一个
最大值, 最大 有 增益 (db)
V
CE
= 5 v
I
C
= 30 毫安
G
一个
最大值
+
|
S
21
|
|S
12
|
(k
"
(k
2
1) ), k
w
1
Ǹ
10
8
6
4
2
0
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
f
T
, 电流 增益-带宽 产品 (ghz)
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
V
CE
= 5 v
f = 1 ghz
典型 特性
MMBR571LT1
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