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资料编号:315201
 
资料名称:MRF571
 
文件大小: 23.01K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON RF TRANSISTOR
 
 


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3
mmbr571lt1 mrf571 mrf5711lt1
motorola rf 设备 数据
图示 3. 输入 电容 相比
发射级 根基 电压
sot–23 mmbr571lt1
sot–23 mmbr571lt1
sot–23 mmbr571lt1
C
ib
, 输入 电容 (pf)
V
, base–emitter 电压 (vdc)
4
1
3
2
1
23
0
0
f = 1 mhz
C
ib
C
cb
, 输出 capacitances (pf), c
ob
V
cb
, collector–base 电压 (vdc)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
0
12 34 56 78 910
C
ob
C
cb
f = 1 mhz
G
NF
, 增益 在 噪音 图示 (db)
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
20
16
12
8
4
0
10 20 30 40 50
f = 500 mhz
V
CE
= 5 v
典型 特性
MMBR571LT1
图示 4. 输出 capacitances 相比
collector–base 电压
图示 5. 增益 在 噪音 图示 相比
集电级 电流
1 ghz
sot–23 mmbr571lt1
sot–23 mmbr571lt1 sot–23 mmbr571lt1
nf, 噪音 图示 (db)
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
5
4
3
2
1
0
10 20 30 40 50
f = 500 mhz
f = 1 ghz
V
CE
= 5 v
G
NF
, 增益 在 噪音 图示 (db)
0.2
f, 频率 (ghz)
25
20
15
10
5
0
0.3 0.5 1 1.5 2
nf, 噪音 图示 (db)
5
4
3
2
1
0
V
CE
= 5 v
I
C
= 10 毫安
G
NF
NF
25
0.2
f, 频率 (ghz)
20
15
10
5
0.3 0.6 1 2
30
1.5
G
U
最大值 =
|S
21
|
2
(1 – |s
11
|
2
)(1 – |s
22
|
2
)
G
U
最大值
|S
21
|
2
V
CE
= 5 v
I
C
= 30 毫安
G
U
最大值 和 |s
21
|
2
(db)
图示 相比 频率
图示 8. 最大 unilateral 增益 和
嵌入 增益 相比 频率
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