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资料编号:315245
 
资料名称:MRF5811LT1
 
文件大小: 155.6K
   
说明
 
介绍:
LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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MRF5811LT1
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 5.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
18 Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 1.0 madc, i
E
= 0)
V
(br)cbo
36 Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 0.1 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
2.5 Vdc
发射级 截止 电流
(v
EB
= 2.0 vdc, v
= 0)
I
EBO
100
µ
模数转换器
集电级 截止 电流
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
100
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益 (1)
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
h
FE
50 200
动态 特性
collector–base 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ob
2.0 pF
collector–base 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
cb
1.2 2.0 pF
current–gain 带宽 产品 (2)
(i
C
= 75 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 1.0 ghz)
f
T
5.0 GHz
函数的 tests
噪音 图示 (最小), 图示 3
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 500 mhz)
NF
最小值
2.0 3.0 dB
噪音 图示 (50 ohm 嵌入)
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 500 mhz)
NF
50
2.5 dB
电源 增益 在 最佳的 噪音 图示, 图示 3
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 500 mhz)
G
NF
18.4 dB
嵌入 增益
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 6.0 vdc, f = 500 mhz)
|S
21
|
2
14.2 dB
最大 unilateral 增益 (2)
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 6.0 vdc, f = 500 mhz)
G
U 最大值
18 dB
注释:
1. 300
µ
s 脉冲波 在 tektronix 576 或者 相等的.
2. G
Umax
=
|S
21
|
2
(1
|S
11
|
2
)(1
|S
22
|
2
)
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