mrf5s9101nr1 mrf5s9101nbr1 mrf5s9101mr1 mrf5s9101mbr1
9
rf 设备 数据
freescale 半导体
图示 14. mrf5s9101nr1(nbr1)/mr1(mbr1) 800 mhz 测试 电路 图式
Z1 0.432
″
x 0.827
″
Microstrip
Z2 0.720
″
x 0.788
″
Microstrip
Z3 0.195
″
x 0.087
″
Microstrip
Z4 0.584
″
x 0.087
″
Microstrip
Z5 0.173
″
x 0.087
″
Microstrip
Z6 0.560
″
x 0.087
″
Microstrip
Z7 0.378
″
x 0.827
″
Microstrip
Z8 0.279
″
x 0.087
″
Microstrip
Z9 0.193
″
x 0.087
″
Microstrip
Z10 0.897
″
x 0.087
″
Microstrip
Z11 1.161
″
x 0.087
″
Microstrip
z12, z13* 1.6
″
x 0.089
″
Microstrip
(quarter 波 长度 为 供应 目的)
Z14* 1.2
″
x 0.059
″
Microstrip
(quarter 波 长度 为 偏差 目的)
PCB taconic tlx8-0300, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
*variable 为 tuning
RF
输入
RF
输出
C1
C10
V
供应
Z6
V
偏差
Z11
C11
C21
+
C7
C19
C8 C2C5
Z2
C13C16
C12
Z1
DUT
Z8
R1
C4R2
Z14
R3
C17
Z12
C9 C3C6
Z13
C14
C15
C22
Z3
Z5
Z4
C18 C20
Z7Z10 Z9
表格 7. mrf5s9101nr1(nbr1)/mr1(mbr1) 800 mhz 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
c1, c2, c3
4.7
f 碎片 电容 (2220)
GRM55ER7H475KA01 Murata
c4, c5, c6 10 nf 200b 碎片 电容 200B103MW 在C
c7, c8, c9 33 pf 100b 碎片 电容 100B330JW 在C
c10, c11 22 pf 100b 碎片 电容 100B220GW 在C
c12, c13, c17 10 pf 100b 碎片 电容 100B100GW 在C
c14, c15 8.2 pf 100b 碎片 电容 100B8R2CW 在C
c16, c22 6.8 pf 100b 碎片 电容 100B6R8CW 在C
C18 5.6 pf 100b 碎片 电容 100B5R6CW 在C
c19, c20 2.7 pf 100b 碎片 电容 100B2R7BW 在C
C21
220
f, 50 v electrolytic 电容, 轴的
516D227M050NP7B Sprague
r1, r2
10 k
, 1/4 w 碎片 电阻器 (1206)
R3
10
, 1/4 w 碎片 电阻 (1206)
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