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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf5s9101nr1 mrf5s9101nbr1 mrf5s9101mr1 mrf5s9101mbr1
表格 3. 静电释放 保护 特性
测试 methodology 类
人 身体 模型 (每 jesd22-a114) 1c (最小)
机器 模型 (每 eia/jesd22-a115) 一个 (最小)
承担 设备 模型 (每 jesd22-c101) iv (最小)
表格 4. 潮气 敏锐的 水平的
测试 methodology 比率 包装 顶峰 温度 单位
每 jesd 22-a113, ipc/电子元件工业联合会 j-标准-020 3 260
°
C
表格 5. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
零 门 电压 流 泄漏 电流
(v
DS
= 68 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
— — 10
µ
模数转换器
零 门 电压 流 泄漏 电流
(v
DS
= 26 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
— — 1
µ
模数转换器
门-源 泄漏 电流
(v
GS
= 5 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
— — 1
µ
模数转换器
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 400
µ
模数转换器)
V
gs(th)
2 2.8 3.5 Vdc
门 安静的 电压
(v
DS
= 26 vdc, i
D
= 700 madc)
V
gs(q)
— 3.7 — Vdc
流-源 在-电压
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 2
模数转换器)
V
ds(在)
— 0.21 0.3 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 6
模数转换器)
g
fs
— 7 — S
动态 特性
(1)
输出 电容
(v
DS
= 26 vdc
±
30 mv(rms)交流 @ 1 mhz, v
GS
= 0 vdc)
C
oss
— 70 — pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 26
Vdc
±
30 mv(rms)交流 @ 1 mhz, v
GS
= 0 vdc)
C
rss
— 2.2 — pF
函数的 tests
(在 freescale 测试 fixture, 50 ohm 系统) v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 100 w, i
DQ
= 700 毫安, f = 960 mhz
电源 增益 G
ps
16 17.5 19 dB
流 效率
η
D
56 60 — %
输入 返回 丧失 IRL — -15 -9 dB
P
输出
@ 1 db 压缩 要点, cw P1dB 100 110 — W
1. 部分 是 内部 输入 matched.
(持续)
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