HEXFET
®
电源 场效应晶体管
10/11/00
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 9.3
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 6.5 一个
I
DM
搏动 流 电流
37
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 82 W
直线的 减额 因素 0.5 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
94 mJ
I
AR
avalanche 电流
9.3 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
8.2 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
8.1 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew
10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
描述
V
DSS
= 200v
R
ds(在)
= 0.30
Ω
I
D
= 9.3a
S
D
G
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
使容易 的 paralleling
简单的 驱动 (所需的)东西
D
2
Pak
IRF630NS
至-220ab
IRF630N
至-262
IRF630NL
IRF630N
IRF630NS
IRF630NL
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每
硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换
速 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个
极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗 水平
至 大概 50 watts. 这 低 热的 阻抗 和
低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
这 d
2
pak 是 一个 表面 挂载 电源 包装 有能力 的
accommodating 消逝 sizes 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高的 电源 能力 和 这 最低 可能 在-
阻抗 在 任何 存在 表面 挂载 包装. 这
D
2
pak 是 合适的 为 高 电流 产品 因为 的 它的
低 内部的 连接 阻抗 和 能 dissipate 向上 至
2.0w 在 一个 典型 表面 挂载 应用.
这 通过-孔 版本 (irf630nl) 是 有 为 低-
profile 应用.
www.irf.com 1
pd - 94005a
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