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资料编号:315975
 
资料名称:IRF630FP
 
文件大小: 104.75K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET
 
 


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热的 数据
至-220 至-220FP
R
thj-情况
热的 阻抗 Junction-情况 最大值 1.67 4.17
o
c/w
R
thj-amb
R
thc-下沉
T
l
热的 阻抗 Junction-包围的 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 Typ
Maximum 含铅的 温度 F或者 焊接 目的
62.5
0.5
300
o
c/w
o
c/w
o
C
AVALANCHE 特性
标识 参数 最大值 单位
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 不-repetitive
(pulse width limed T
j
最大值)
9A
E
单独的 脉冲波 一个valanche Energy
(开始 T
j
=25
o
c, I
D
=I
AR
,v
DD
=50v)
160 mJ
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
=250
µ
AV
GS
= 0 200 V
I
DSS
电压
电流 (v
GS
=0)
V
DS
=MaxRating
V
DS
=MaxRating T
c
=125
o
C
1
50
µ
一个
µ
一个
I
GSS
Gate-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
=
±
20 V
±
100 nA
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
= 250
µ
一个 234V
R
ds(在)
静态的 流-source
阻抗
V
GS
=10V I
D
= 5 一个 0.35 0.40
I
d(on)
状态 电流 V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
V
GS
=10V
10 一个
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
>i
d(on)
xR
Ds(on )毫安 x
I
D
=5A 3 4 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 Capacitance
反转 转移
电容
V
DS
=25V f=1MHz V
GS
= 0 540
90
35
700
120
50
pF
pF
pF
irf630/fp
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