IRF7101_集成电路资料查询网

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1/14/04
IRF7832
HEXFET
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电源 场效应晶体管
注释
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通过
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是 在 页 10
益处
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非常 低 r
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产品
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同步的 场效应晶体管 为 notebook
处理器 电源
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同步的 整流器 场效应晶体管 为
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存储 温度 范围
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www.irf.com 1 1/14/04 IRF7832 HEXFET   电源场效应晶体管注释   通过  是在页 10 益处  非常低 r ds(在) 在 4.5v v GS  过激-低门阻抗  全部地典型 avalanche 电压和电流  20v v GS 最大值门比率产品  同步的场效应晶体管为 notebook 处理器电源  同步的整流器场效应晶体管为分开的直流-直流转换器在 networking 系统顶视图 8 1 2 3 4 5 6 7 D D D DG S 一个 S S 一个所以-8 V DSS R ds(在) 最大值 Qg 30V 4.0m : @V GS = 10v 34nC 绝对最大 ratings 参数单位 V DS 流-至-源电压 V V GS 门-至-源电压 I D @ t 一个 = 25°c 持续的流电流, v GS @ 10v I D @ t 一个 = 70°c 持续的流电流, v GS @ 10v 一个 I DM Pulsed 流电流 c P D @T 一个 = 25°c 电源消耗 W P D @T 一个 = 70°c 电源消耗直线的减额因素 w/°c T J 运行接合面和 °C T STG 存储温度范围热的阻抗参数典型值最大值单位 R θ JL 接合面-至-流含铅的 ––– 20 °c/w R θ JA Junction-至-ambient f ––– 50 -55 至 + 155 2.5 0.02 1.6 最大值 20 16 160 ± 20 30 

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