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资料编号:317173
 
资料名称:IRF7220
 
文件大小: 141.56K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7220
www.irf.com 3
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
-4.5v
-11a
0
20
40
60
80
0246810
D
DS
一个
-i , 流-至-源 current (一个)
-v , 流-至-源 voltage (v)
-1.2v
300µs 脉冲波 wIDTH
t = 25°c
VG S
p - 4.5v
- 4.0v
- 3.0v
- 2.0v
- 1.8v
- 1.6v
- 1.4v
bottom - 1.2v
J
0
10
20
30
40
50
60
0246810
D
DS
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v , drain-至-源 voltage (v)
300µs 脉冲波 wIDTH
t = 150°c
-1.2v
VG S
TOP- 4.5v
- 4.0v
- 3.0v
- 2.0v
- 1.8v
- 1.6v
- 1.4v
BOTTOM- 1.2v
J
1
10
100
1000
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
D
一个
-i , d rain-至-sourceC urrent (一个)
-v, g一个te-至-sourceVoltage (v)
V=-10V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
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