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资料编号:317213
 
资料名称:IRF7313
 
文件大小: 547.15K
   
说明
 
介绍:
HEXFET POWER MOSFET
 
 


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-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
10V
5.8a
0
40
80
120
160
200
25 50 75 100 125 150
J
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
一个
开始 t , 接合面 温度 (°c)
I
顶 1.8a
3.2a
bottom 4.0a
D
0.020
0.024
0.028
0.032
0.036
0.040
0 10203040
一个
i , 流 电流 (一个)
D
v = 10v
GS
v = 4.5v
GS
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0 3 6 9 12 15
一个
GS
v , 门-至-源 电压 (v)
i = 5.8a
D
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