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资料编号:317310
 
资料名称:IRF7463
 
文件大小: 84.73K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A)
 
 


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参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 14
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 11 一个
I
DM
搏动 流 电流
110
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
2.5 W
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗 1.6
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
www.irf.com 1
3/30/00
IRF7463
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
最大值 I
D
30V 0.008
14A
典型 smps topologies

电信 48v 输入 转换器 和 逻辑-水平的 驱动 同步的 整流器
绝对 最大 比率
pd- 93843a
注释

通过
是 在 页 7
所以-8
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
50 °c/w
热的 阻抗
过激-低 r
ds(在)
在 4.5v v
GS
低 承担 和 低 门 阻抗 至
减少 切换 losses
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
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