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IRF7466
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 8
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 ––– 20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
––– 50 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 30 V
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 v
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 11
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 9.0 一个
I
DM
搏动 流 电流
90
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
2.5 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
1.6 W
直线的 减额 因素 0.02 mw/°c
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
所以-8
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
V
DSS
R
ds(在)
最大值(m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
I
D
30V 12.5@v
GS
= 10v 11A
pd- 93884c
产品
益处
过激-低 门 阻抗
非常 低 r
ds(在)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 分开的 直流-直流
转换器 和 同步的 整流
为 电信 和 工业的 使用
高 频率 buck 转换器 为
计算机 处理器 电源
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