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资料编号:317364
 
资料名称:IRF7404
 
文件大小: 163.23K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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rev. c–2–
ADN8830–SPECIFICATIONS
(@ v
DD
= 3.3 v 至 5.0 v, v
= 0 v, t
一个
= 25
c, t
设置
= 25
c, 使用 典型 应用
配置 作 显示 在 图示 1, 除非 否则 指出.)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
温度 稳固
长-期 稳固 使用 10 k
thermistor 和
=
4.4% 在 25
°
C 0.01
°
C
pwm 输出 驱动器
输出 转变 时间 t
R
, t
F
C
L
= 3,300 pf 20 ns
nonoverlapping 时钟 延迟 50 65 ns
输出 阻抗 R
O
(n1, p1) I
L
= 50 毫安 6
输出 电压 摆动 输出 一个 V
LIM
= 0 v 0 V
DD
V
输出 电压 波纹
输出 一个 f
CLK
= 1 mhz 0.2 %
输出 电流 波纹
I
TEC
f
CLK
= 1 mhz 0.2 %
直线的 输出 放大器
输出 阻抗 R
o, p2
I
输出
= 2 毫安 85
R
o, n2
I
输出
= 2 毫安 178
输出 电压 摆动 输出 b 0 V
DD
V
电源 供应
电源 供应 电压 V
DD
3.0 5.5 V
电源 供应 拒绝 比率 PSRR V
DD
= 3.3 v 至 5 v, v
TEC
= 0 v 80 92 dB
40
°
C
T
一个
+85
°
C60 dB
供应 电流 I
SY
pwm 不 切换 8 12 毫安
40
°
C
T
一个
+85
°
C15mA
关闭 电流 I
SD
管脚 10 = 0 v 5
µ
一个
软-开始 charging 电流 I
SS
15
µ
一个
欠压 lockout V
OLOCK
低-至-高 门槛 2.0 2.7 V
错误 放大器
输入 补偿 电压 V
OS
V
CM
= 1.5 v 50 250
µ
V
增益 一个
v, 在
20 v/v
输入 电压 范围 V
CM
0.2 2.0 V
一般模式 拒绝 比率 CMRR 0.2 v < v
CM
< 2.0 v 58 68 dB
40
°
C
T
一个
+85
°
C55 dB
打开-循环 输入 阻抗 R
1G
增益-带宽 产品 GBW 2 MHz
涉及 电压
涉及 电压 V
REF
I
REF
< 2 毫安 2.37 2.47 2.57 V
振荡器
同步 范围 f
CLK
管脚 25 连接 至 外部 时钟 200 1,000 kHz
振荡器 频率 f
CLK
管脚 24 = v
DD
; (r = 150 k
; 800 1,000 1,250 kHz
管脚 25 = 地)
逻辑 控制
*
逻辑 低 输入 门槛 0.2 V
逻辑 高 输入 门槛 3 V
逻辑 低 输出 水平的 0.2 V
逻辑 高 输出 门槛 V
DD
0.2 V
*
逻辑 输入 满足 典型 cmos i/o 情况 为 源/下沉 电流 (~1
µ
一个).
规格 主题 至 改变 没有 注意.
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