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资料编号:317515
 
资料名称:IRF7509TR
 
文件大小: 217.17K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=+-30V)
 
 


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IRF7509
6 www.irf.com
图 18.
最大 safe 运行 范围
图 17.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗
( Ω )
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
3691215
一个
i=-2.0a
/5
-v , 门-至-源 电压 (v)
p - 频道
图 20.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 19.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 21.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
0.1
1
10
100
1000
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
0
4
8
12
16
20
024681012
G
GS
一个
-v , 门-至-源 电压 (v)
Q , total g一个teCharge (nC)
V= -24v
V= -15v
DS
DS
i =-1.2a
D
为 测试 电路
SEE URE9
0
100
200
300
400
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
V=0V, f = 1mHz
C= c + c, cSH 或者TED
c = c
C= c + c
GS
iss
gs gd ds
rss
gd
oss ds
gd
C
s
C
oss
C
rss
n-p - 频道
0.1
1
10
100
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
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