IRF7530
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repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 1.3a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
19 29 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 1.3a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
13 20 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
––– –––
––– –––
40
1.3
一个
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t<10 秒
S
D
G
开始 t
J
= 25
°
c, l = 2.6mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 5.0a. (看 图示 10)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 20
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250ua
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.01
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
––– –––
0.030 V
GS
= 4.5v, i
D
= 5.4a
––– –––
0.045 V
GS
= 2.5v, i
D
= 4.6a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.60
–––
1.2 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 13
––– –––
SV
DS
= 10v, i
D
= 5.4a
––– –––
1.0 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
––– –––
25 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -12v
Q
g
总的 门 承担
–––
18 26 I
D
= 5.4a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
3.4 5.1 nC V
DS
= 16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
3.4 5.1 V
GS
= 4.5v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
8.5
–––
V
DD
= 10v
t
r
上升 时间
–––
11
–––
I
D
= 1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
36
–––
R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间
–––
16
–––
R
D
= 10
Ω
C
iss
输入 电容
–––
1310
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
180
–––
pF V
DS
= 15v
C
rss
反转 转移 电容
–––
150
––– ƒ
= 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
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