IRF7501
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管标识
(身体二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= 1.7a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 39 59 ns T
J
= 25°c, i
F
= 1.7a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 37 56 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
––– –––
––– ––– 19
1.25
一个
S
D
G
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 10 )
I
SD
≤
1.7a, di/dt
≤
66a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
注释:
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 20 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.041 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– 0.085 0.135 V
GS
= 4.5v, i
D
= 1.7a
––– 0.120 0.20 V
GS
= 2.7v, i
D
= 0.85a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.70 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 2.6 ––– ––– S V
DS
= 10v, i
D
= 0.85a
––– ––– 1.0 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
––– ––– 25 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -12v
Q
g
总的 门 承担 ––– 5.3 8.0 I
D
= 1.7a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 0.84 1.3 nC V
DS
= 16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 2.2 3.3 V
GS
= 4.5v, 看 图. 9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 5.7 ––– V
DD
= 10v
t
r
上升 时间 ––– 24 ––– I
D
= 1.7a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 15 ––– R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 16 ––– R
D
= 5.7
Ω
C
iss
输入 电容 ––– 260 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 130 ––– pF V
DS
= 15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 61 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 8
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
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