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资料编号:317520
 
资料名称:IRF7503
 
文件大小: 114.7K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7503
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
100
200
300
400
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V,f=1M Hz
C=C+C,CSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
024681012
Q, 总的 门 charge (nc)
G
V , g ate-至-source v oltage(v )
GS
一个
为 测试 电路
SEE URE9
V =24V
V =15V
I=1.7一个
DS
DS
D
0.1
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t = 25°c
t = 150°C
J
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
0.1
1
10
100
1 10 100
V, 流-至-所以urce voltage (v)
DS
i , 流 current (一个)
运算E R一个TIONTH是 一个 RE 一个LIMITE D
BY R
D
ds(在)
T=25°C
T=150°C
单独的 脉冲波
1ms
10ms
一个
一个
J
100µs
10µs
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