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资料编号:317565
 
资料名称:IRF7601
 
文件大小: 116.88K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7601
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
200
400
600
800
1000
1200
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
v , drain-至-sourceVoltage (v)
一个
V =0V ,f =1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0 4 8 12162024
G
GS
一个
q , 总的 门 承担 (nc)
为 测试 电路
看 图示 9
V , g ate-至-source v oltage (v )
i = 3.8一个
V=16V
D
DS
0.1
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
t =25°C
t = 150°c
J
J
V =0V
GS
V, 所以urce-至-drain voltage (v)
i , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
1
10
100
0.1 1 10 100
V, dra-至-源 电压 (v)
DS
i , draCurrent (一个 )
运算E R一个TIONTH一个 RE 一个LIMITE D
BY R
D
ds(在)
T=25°C
T=150°C
单独的 脉冲波
10s
1ms
10ms
一个
一个
J
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