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资料编号:317695
 
资料名称:HUF76107D3
 
文件大小: 284.05K
   
说明
 
介绍:
20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
 
 


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60
切换 规格
(v
GS
= 10v)
转变-在 时间 t
V
DD
= 15v, i
D
20a, r
L
=0.75
,
V
GS
=
10v, r
GS
= 33
(计算数量 16)
- - 75 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-18-ns
上升 时间 t
r
-30-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-62-ns
下降 时间 t
f
-20-ns
转变-止 时间 t
- - 125 ns
门 承担 规格
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 15v,i
D
10.5a,
R
L
= 1.43
I
g(ref)
= 1.0ma
(图示 14)
- 8.6 10.3 nC
门 承担 在 5v Q
g(5)
V
GS
= 0v 至 5v - 4.7 5.7 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - 0.35 0.42 nC
门 至 源 门 承担 Q
gs
- 1.00 - nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
- 2.40 - nC
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 13)
- 315 - pF
输出 电容 C
OSS
- 170 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-30-pf
电的 specifications
T
一个
= 25
o
c, 除非 否则 指定
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 10.5a - - 1.25 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 10.5a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--39ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 10.5a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--49nc
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
T
一个
, 包围的 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
10
0
25 50 75 100 125
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25
150
5
20
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 10v
15
huf76107d3, huf76107d3s
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