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资料编号:317769
 
资料名称:IRF7702
 
文件大小: 138.75K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-12V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7702
4 www.irf.com
PROVISIONAL
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 7.
门槛 电压 vs. 温度
1 10 100
0
1000
2000
3000
4000
5000
-v , 流-至-源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f = 1mhz
+ c
+ c
c 短接
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0 20 40 60 80
0
2
4
6
8
10
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
-8.0a
V =-9.6v
DS
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
0.20
0.40
0.60
0.80
-v
gs(th)
, variace ( v )
I
D
= -250µa
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
一个
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms
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