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资料编号:317773
 
资料名称:IRF7707
 
文件大小: 154.25K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-20V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7707
www.irf.com 3
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
0.1 1 10 100
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
-i
D
, 流-至-源 电流 (一个)
-1.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 25°c
VGS
顶 -7.5v
-4.5v
-3.5v
-3.0v
-2.5v
-2.0v
-1.75v
bottom -1.5v
0.1 1 10 100
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
-i
D
, 流-至-源 电流 (一个)
-1.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 150°c
VGS
顶 -7.5v
-4.5v
-3.5v
-3.0v
-2.5v
-2.0v
-1.75v
bottom -1.5v
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
-4.5v
-7.0a
1
10
100
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
v = -15v
20µs 脉冲波 宽度
DS
-v , 门-至-源 电压 (v)
-i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
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