IRF7750
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repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
注释:
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 26 39 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.0a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 16 24 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
–––
–––
––– ––– -38
-1.0
一个
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t<10 秒
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -20 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.012 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– ––– 0.030 V
GS
= -4.5v, i
D
= -4.7a
––– ––– 0.055 V
GS
= -2.5v, i
D
= -3.8a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.45 ––– -1.2 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 11 ––– ––– S V
DS
= -10v, i
D
= -4.7a
––– ––– -1.0 V
DS
= -20v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v, t
J
= 70°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -12v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 12v
Q
g
总的 门 承担 ––– 26 39 I
D
= -4.7a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 3.9 5.8 nC V
DS
= -16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 8.0 12 V
GS
= -5.0v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 15 ––– V
DD
= -10v
t
r
上升 时间 ––– 54 ––– I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 180 ––– R
D
= 10
Ω
t
f
下降 时间 ––– 210 ––– R
G
= 24
Ω
C
iss
输入 电容 ––– 1700 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 380 ––– pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 270 ––– ƒ = 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
S
D
G
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